2021年天津大学非全日制研究生《微电子学与固体电子学综合》复试大纲

  本复试考试由两部分组成,请考生根据自己的具体情况任选一部分进行答题。

  第一部分: 半导体集成电路复试大纲(参加微电子学复试的考生参考)

  一、考试的总体要求

  "半导体集成电路"是微电子技术专业的主干课程。本大纲包括"半导体特种效应"、"半导体集成电路"。目的是考察考生对基本理论、基本知识、基本技能及分析问题和解决问题的能力。

  二、考试内容及比例

  (一)半导体特种效应(40%)

  1、 半导体异质结:异质结概念及能带图,异质结锗硅双极晶体管的结构、性能特点与原因,高电子迁移率晶体管的结构、性能特点与原因;

  2、 半导体光学性质:半导体光吸收,半导体光电探测器, 半导体太阳电池,半导体发光概念与应用,半导体激光基本原理;

  3、 半导体霍尔效应、半导体热电效应及其应用、半导体压阻效应。

  (二)半导体集成电路(60%)

  1、 MOS 反相器及其基本逻辑单元 E/D 反相器、CMOS 反相器、自举反相器、动态反相器、

  NMOS 逻辑结构、传输门逻辑。

  2、 导线模型及寄生参数 互连参数、集总式模型、分布式模型。

  3、 CMOS 组合逻辑门的设计 静态 CMOS 组合逻辑、动态 CMOS 组合逻辑。

  4、 时序逻辑电路设计 静态锁存器和寄存器、动态锁存器和寄存器、流水线、非双稳时序电路。

  5、 数字电路中的时序问题 数字系统的时序分类、同步设计、自定时电路设计、时钟的不确定性。

  6、 设计运算功能块 数字处理器结构中的数据通路、加法器、乘法器、移位器。

  三、试卷题型及比例

  1、 选择,填空题:15%;

  2、 简答题:30%;

  3、 论述题:40%; 4、综合题:15%。

  四、考试形式及时间

  考试形式为笔试,考试时间 1.5 小时,满分 65 分。

  五、参考书目

  1、 半导体物理学,(第七版), 刘恩科、朱秉升、罗晋生编著,电子工业出版社。

  2、 半导体物理与器件,美 Neamen 著,赵毅强等译,电子工业出版社;

  3、 数字集成电路--电路、系统与设计,周润德等译,电子工业出版社;

  4、 半导体集成电路、朱正涌编著,清华大学出版社。

  第二部分:薄膜电子技术复试大纲(参加固体电子学专业复试的考生参考)

  一、考试的总体要求

  "薄膜电子技术"是微电子学与固体电子学专业的主干课程。本课程的考试目的是考察学生对基本理论、基本知识、基本技能的掌握情况,考察学生分析问题解决问题的能力。

  二、考试内容及比例

  1、薄膜的制备技术:

  1) 真空技术基础:

  真空的基本知识,真空的获得,真空度的表征和检测。

  2) 物理气相沉积镀膜技术:

  真空蒸发镀膜原理,蒸发源类型及原理,蒸发特性及参数,合金及化合物蒸发。 溅射镀膜类型及原理、特点,溅射特性参数。 离子镀膜原理、特点。

  3) 化学气相沉积镀膜技术:

  不同类型化学气相沉积镀膜方法原理及特点 常压化学气相沉积,低压化学气相沉积,等离子增强化学气相沉积,有机金属化学气相沉积,光化学气相沉积。

  4) 溶液镀膜法:

  化学镀,溶胶-凝胶法,LB 膜的制备原理和特点。

  2、薄膜形成理论:

  1) 薄膜的形成过程,薄膜的形成与生长形式。热适应系数,热力学界面能理论,原子聚集理论。

  2) 薄膜的结构与缺陷: 薄膜的组织结构、晶体结构、表面结构,薄膜的缺陷及产生机理。

  3、薄膜结构与化学组分检测方法: X 射线衍射法,扫描电子显微镜法,俄歇电子能谱法,

  X 射线光电子能谱法,检测原理与特点。

  三、试卷题型及比例

  1、 选择,填空题:15%;

  2、 简答题:30%;

  3、 论述题:40%; 4、综合题:15%。

  四、 考试形式及时间

考试形式为笔试,考试时间 1.5 小时,满分 65 分。

  五、 参考书目

  薄膜物理与技术,杨邦朝等,电子科技大学出版社。

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